Tutorial2026-IEEE International Memory Workshop (IMW)

该教程汇集了来自imec、SanDisk、Intel、清华大学、NaMLab、Georgia Tech等顶尖机构与企业的专家，聚焦于高带宽内存（如HBF）、系统技术协同优化（STCO）、忆阻器存算一体、铁电存储器以及3D DRAM等前沿技术，旨在解决AI时代对内存密度、带宽和能效的迫切需求。

会议基本信息

• 会议名称：2026 IEEE International Memory Workshop (IMW)

• 日期：2026年5月10日（星期日）

• 地点：比利时鲁汶（Leuven, Belgium）

教程安排

该教程分为两个主要部分，由多位行业专家主讲：

教程 #1：内存赋能系统 (Memory Enabled Systems)

• 时间：上午8:30 - 11:30

• 主席：Ludovic Goux (imec), Jeffrey McNeil (Micron)

• 演讲内容：

  1. 跨技术协同优化以实现内存密度和带宽 (Dwaipayan Biswas, imec)

  2. 高带宽闪存 (High Bandwidth Flash) (In-Soo Yoon, SanDisk)

  3. 面向计算系统的STCO：是什么、为什么、怎么做 (Mudit Bhargava, Intel)

教程 #2：新兴存储器 (Emerging Memory)

• 时间：下午1:15 - 4:15

• 主席：Frederick Chen (Winbond), Stephan Menzel (Forschungszentrum)

• 演讲内容：

  1. 基于忆阻器的存算一体技术用于神经网络加速 (Jianshi Tang, 清华大学)

  2. 基于掺杂HfO₂的铁电器件：挑战与发展 (Uwe Schroeder, NaMLab)

  3. 可单片堆叠的1T1C 3D DRAM (Shimeng Yu, Georgia Tech)